方鉬靶

方鉬靶：

密度：10.2克/立方釐米
熔點：2610℃
沸點：5560℃
純度：≥99.95%
形狀：方形

性能：方鉬靶具有高熔點、高電導率、較低的比阻抗、較好的耐腐蝕性及良好的環保性能。

用途：在電子行業中, 鉬濺射靶材主要用於平面顯示器、薄膜太陽能電池的電極和配線材料以及半導體的阻擋層材料。

密度要求:為了減少鉬靶固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，通常要求鉬靶具有較高的密度。鉬靶的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學和光學性能。鉬靶密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高鉬靶的密度和強度使鉬靶能更好地承受濺射過程中的熱應力。密度也是鉬靶的關鍵性能指標之一。　