鉬靶的存儲應用
鉬靶具有高熔點、高電導率、較低的比阻抗、較好的耐腐蝕性以及良好的環保性能，同時鉬靶的純度高，在存儲技術方面，高密度、大容量硬碟的發展，需要大量的高純度鉬靶薄膜材料。
眾所周知，鉬濺射靶材的技術發展趨勢與下游應用產業的薄膜技術發展趨勢息息相關，隨著應用產業在薄膜產品或元件上的技術改進，鉬濺射靶材技術也應隨之變化。在存儲技術方面，高密度、大容量硬碟，高密度的可擦寫光碟的需求持續增加，這些均導致應用產業對鉬濺射靶材的需求發生變化。
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鉬濺射靶材，即鉬靶材，通常由鉬粉經燒結而成。多數情況下，它是由陽極本身就是燒結鉬粉製成，目標是由陽極所形成的。
鈦鋯碳合金是一種以鉬為基礎元素並在其中添加鈦、鋯、碳的一類鉬合金。 TZC合金具體成分如下：1.00%~1.50%T鈦、0.10%~0.30%鋯、0.12%~0.40%碳及餘量的鉬。
鈦鋯鉬合金（TZM）是鉬基合金中常用的一種高溫合金，其成分主要為0.50%鈦，0.08%鋯和0.02%碳。
鉬鉿碳合金（MHC合金）以金屬鉬為基體元素同合金元素鉿、碳組成的合金。代表性的是含鉿1.0%(品質分數)、碳0.05%~0.08%(品質分數)的鉬合金。
