圓鉬靶

為了增加濺射效率，確保薄膜沉積品質，因此，對鉬濺射靶材的性能要求更高。

鉬濺射靶材的純度：高純度是鉬濺射靶材的基本要求。純度較高的鉬濺射靶材，鉬濺射膜的沉積性能更好。一般來說，鉬濺射靶材的純度應至少達到99.95％。隨著LCD的發展和電子行業，對鉬濺射靶材的純度要求為99.99％ - 99.999％，甚至更高。

純度：在濺射鍍膜，鉬濺射靶材純度過低時，氣體的縫隙將會被釋放，鉬濺射靶材的品質降低。因此，鉬濺射靶材，為了獲得沉積效果好的鉬濺射靶材薄膜，其純度的要求一般是99.95%以上。

鉬濺射靶材性質：

1） 高熔點 
2） 極低的蒸氣壓（這對難熔和真空行業的應用尤其重要。）
3） 高溫物理強度大（用於高溫環境中的結構件） 
4） 抗蠕變（高溫負載結構件。尺寸穩定性高。如：大型航空發動機渦輪葉片的鍛造模具。） 
5） 高的彈性模量  
6） 極低的熱脹係數（對於金屬-陶瓷結構，金屬-半導體結構，金屬-石墨結構的應用非常 重要。如在LED領域，被視為大功率LED的未來的V-LED將會使用鉬或者鉬銅材料作為基底材料） 
7） 優良的導電率
8） 優良的導熱性
9） 選擇性的抗侵蝕能力

鉬靶材廣泛用於導電玻璃、STN/TN/TFT-LCD、光學玻璃、離子鍍膜等行業，適用所有平面鍍膜及旋轉鍍膜系統。