方钼靶

方钼靶：

密度：10.2克/立方厘米
熔点：2610℃
沸点：5560℃
纯度：≥99.95%
形状：方形

性能：方钼靶具有高熔点、高电导率、较低的比阻抗、较好的耐腐蚀性及良好的环保性能。

用途：在电子行业中, 钼溅射靶材主要用于平面显示器、薄膜太阳能电池的电极和配线材料以及半导体的阻挡层材料。

密度要求:为了减少钼靶固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，通常要求钼靶具有较高的密度。钼靶的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学性能。钼靶密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高钼靶的密度和强度使钼靶能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是钼靶的关键性能指标之一。　